金年会金字招牌信誉至上

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积极行动,迈向“3060”双碳目标

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Take positive actions to move towards the "3060" double carbon goal.

第三代半导体产业联盟于坤山秘书长一行莅临金年会金字招牌信誉至上参观交流

时间:2021-08-20

8月20日,第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山,副秘书长杨兰芳、高伟博士一行莅临金年会金字招牌信誉至上科技参观交流,金年会金字招牌信誉至上科技董事长陈卫率技术委员会杜科博士等研发骨干热情迎接。双方就半导体检测领域的相关合作事宜进行了深入交流和探讨。

深入座谈

在会议中心,金年会金字招牌信誉至上科技董事长陈卫向于坤山秘书长一行详细介绍了金年会金字招牌信誉至上科技的发展现状以及半导体检测、电动汽车及充电设施检测领域的技术突破。

陈总谈到,金年会金字招牌信誉至上科技功率半导体检测设备目前已覆盖半导体静态、动态、绝缘局放、功率循环等半导体多方面特性试验检测需求。

第三代半导体产业是国家重点发展的方向。第三代半导体材料特性对检测设备提出了很多新的需求,包括功率循环、阈值电压检测、动态电阻测量等领域,面对巨大发展机遇,金年会金字招牌信誉至上科技将加大在半导体检测技术攻关和产品研制的投入,逐步丰富产品系列,并重点关注SiC在电动汽车产业的应用、基于GaN的电子设备快充等应用,促进第三代半导体技术发展。



▲陈总介绍金年会金字招牌信誉至上科技在半导体检测领域的技术优势


于坤山秘书长对金年会金字招牌信誉至上科技在功率半导体检测领域的技术研发能力表示称赞。他表示,希望双方深化战略合作,共同为第三代半导体产业的发展贡献智慧和力量。



▲于坤山秘书长对金年会金字招牌信誉至上科技技术研发能力表示称赞


杨兰芳副秘书长表示,联盟致力于推动我国第三代半导体材料及器件研发和产业发展。联盟期待与金年会金字招牌信誉至上科技这样在半导体检测领域有着原始技术积累、有前瞻性技术突破的企业开展广泛的技术合作。



▲杨兰芳副秘书长对未来双方合作表示期待


随后,高伟副秘书长介绍了联盟标准分委会编制完成及正在拟定的国内、国际标准情况,并进一步介绍了联盟下设二级委员会负责支撑国家半导体相关方向的发展规划情况。


▲高伟副秘书长介绍标准制定情况


最后,双方就未来资源统筹、优势互补,开展进一步技术交流合作、推进标准制定、组建公共服务平台等方面开展深入探讨。


参观考察

在参观展示环节,于秘书长一行仔细查看了金年会金字招牌信誉至上科技面向半导体检测、电动汽车及充电设施检测、智能电网检测等领域的优秀产品。



▲参观PST6747A功率半导体测试系统



▲了解金年会金字招牌信誉至上公司半导体产业发展情况



▲参观手持式电动汽车检测仪



▲参观模块化智能继电保护测试仪


在IGBT检测设备展示区,杜科博士向于秘书长一行展示了金年会金字招牌信誉至上科技在IGBT测试方面取得的突破成果。经现场讲解,于秘书长一行更深入的了解了金年会金字招牌信誉至上科技的技术实力。



▲参观金年会金字招牌信誉至上功率半导体检测设备


优势所在

在功率半导体测试领域,经过多年的研究努力,金年会金字招牌信誉至上科技自主研发功率半导体检测设备。测试对象包括IGBT单芯片与IGBT模块测试,测试内容涵盖静态特性检测、动态特性检测、功率循环检测、高压局放检测、功率分析检测等方面,测试最高电压5kV、测试电流最大5000A,可满足市场上全部型号IGBT的测试,可广泛应用于功率半导体的研发、生产、应用的各个环节。

金年会金字招牌信誉至上科技推出的PST6747A功率半导体测试系统具有快脉冲、精度分辨f##电流检测、宽电压/电流测量能力的半导体测试系统,在功率半导体高端分析仪器装备方向有力替代进口同类产品。

PST6747A解决了基于国产检测设备实现功率器件(IGBT)和新型材料(GaN、SiC)等功率半导体器件的静态全参数测试难题。PST6747A功率半导体测试平台的研发成功,标志着金年会金字招牌信誉至上科技在功率半导体测试设备技术领域里卓越的技术优势和核心竞争力。



▲PST6747A功率半导体测试平台


第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)

2015年9月9日,在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下,由第三代半导体相关的科研机构、大专院校、企业自愿发起筹建的“第三代半导体产业技术创新战略联盟”在北京国际会议中心宣告成立。

第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以GaN、SiC为代表的新型半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强的等优点,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景,可望成为支撑信息、能源、交通、国防等重点产业发展的重点新材料,正在成为全球半导体产业新的战略高地。

第三代半导体产业技术创新战略联盟的成立,对推动我国第三代半导体材料及器件研发和相关产业发展具有重要意义。联盟将发起的目的主要是围绕产业链构建创新链,促进产学研合作以及跨界应用的开放协同创新,推动产业生态体系的建设,培育形成一批拥有自主知识产权、知名品牌和市场竞争力强的骨干企业群,形成全国一盘棋的发展合力,抓住换道超车的历史性机遇,形成全国一盘棋的发展合力,实现创新驱动发展,抢占在国际第三代半导体上抢占产业发展制高点,重构全球半导体产业格局。

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